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Transistor BS170

Transistor FET canal N (N-FET) 60V 0.5A 0.83W Rds 5R TO-92. Boîtier: TO-92. Vds(max): 60V. Id(@25ºC): 0.5A. Puissance: 0.83W.

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Transistor MOSFET canal P (P-MOSFET). Tension drain-source maxi: -45V. Courant de drain maxi: -0.23A. Puissance: 0.7W. Résistance passante (Rds): 14 Ohms. Boîtier: TO-92.

Transistor BSM30GP60

Transistor IGBT N Module 600V 50A 24-Pin

Transistor BSN20

Transistor MOSFET canal N (N-MOSFET). Tension drain-source maxi: 50V. Courant de drain maxi: 0.1A. Puissance: 0.3W. Rds<15 Ohms.

Transistor BSP100

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Transistor BSR14

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Transistor BSR16

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Transistor NPN BSR51

Transistor NPN. Darlington. Diode de roue-libre intégrée 80/60V 1A 0.83W 200MHz

Transistor BSS123

Transistor MOSFET canal N (N-MOSFET) 100V 0.17A. Boîtier: SOT-23 (TO-236). Marquage CMS: SA. Vds(max): 100V. Id(@25ºC): 0.17A. Puissance: 0.36W. Résistance Rds: 1.2 Ohms.

Transistor BSS138

Transistor MOSFET canal N (N-MOSFET) 50V 0.2A. Boîtier: SOT-23 (TO-236). Marquage CMS: SS. Vds(max): 50V. Id(@25ºC): 0.2A. Puissance: 0.36W. Résistance Rds: 3.5 Ohms.

Transistor BSS84

Transistor CMS MOSFET canal P (P-MOSFET) 50V 0.13A. Marquage boîtier: 11W. Boîtier: SOT-23 (TO-236). Vds(max): 50V. Id(@25ºC): 0.13A. Puissance: 0.25W. Résistance Rds: 10 Ohms. Marquage CMS: SP.

Transistor BSS8402DW

Transistor BSS8402DW N&P-MOS DUAL 60V&50V 0.2W 7.5R&10R. Complementary Pair Enhancement Mode MOSFET. td(on):7&10nS. td(off):11&18nS. Constructeur: DIODES. Boîtier: *CMS SOT363* Marquage CMS: KNP

Transistor BSS88

Transistor BSS88 N-MOS 240V 0.25A 1W <5R V-MOS. Enhancement mode. Logic Level. VGS(th)=0.8...2.0V. Constructeur: INF. Boîtier: TO-92. Tension de Drain maxi: 240 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 0.25 A. Rds (Ohms): 5. Puissance: 1 W

Transistor BST72A

Transistor BST72A N-MOS 100V 0.19A 0.83W <10R. D-MOS Log.L. MOS-N-FET. Constructeur: PHI. 3..10nS. Tension de Drain maxi: 100 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 0.19 A. Rds (Ohms): 10. Puissance: 0.83 W

Transistor BST82

Transistor CMS MOSFET canal N 100V 0.19A. Boîtier: SOT-23. Vds(max): 100V. Id(@25ºC): 0.19A. Puissance: 0.83W. Résistance Rds: 10 Ohms. Logic Level.

Transistor BSV52

Transistor NPN CMS 20V 0.1A 0.25W 300MHz

Transistor BU108A-DIV

Transistor bipolaire NPN 1500/750V 5A. Tension collecteur-émetteur maxi: 750V. Vcbo: 1500V. Courant de collecteur maxi: 5A. Puissance: 120W.

Transistor BU125-ST

Transistor NPN BU125-ST 130/60V 7A 10W S-L. Vce maxi: 60 V. Courant de collecteur maxi: 7 A. S-L. Tension collecteur/base maxi: 130 V. Puissance: 10 W

Transistor BU126

Transistor NPN BU126 750V 3A 30W S-L TV-SN. Vce maxi: 750 V. Courant de collecteur maxi: 3 A. S-L TV-SN. Puissance: 30 W

Transistor BU1508AX

Transistor NPN BU1508AX 1500/700V 8A 35W 0.4uS. Vce maxi: 700 V. Courant de collecteur maxi: 8 A. Boîtier: TO-220F (isolé). hFE: 4-7. Vce(sat)1.0V. Vbe(sat)1.1V. Constructeur: PHI. Tension collecteur/base maxi: 1500 V. Puissance: 35 W

Transistor BU1508DX

Transistor NPN BU1508DX. SI-N+DR 1500/700V 8A 35W 0.4uS. Vce maxi: 700 V. Courant de collecteur maxi: 8 A. Boîtier: TO-220F (isolé). hFE: 4-7. Vce(sat)1.0V. Vbe(sat)1.3V. Constructeur: PHI. Rbe: 33R. Diode de protection collecteur/émetteur intégrée. Tensi

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